GSE S200是针对低损伤工艺的专用刻蚀设备，兼容ALE工艺，刻蚀速率精细可控，侧壁及底部损伤小、均匀性好，易维护，性能稳定。其在GaN功率器件、GaN-GaAs射频器件的刻蚀上性能优异。兼容8英寸及以下晶圆材料。该机台为多腔室集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。
