适用于4~8寸IC、MEMS、Power、化合物、LED、科研及新兴等领域，支持Si、SiC、石英、蓝宝石GaAs及InP基等不同衬底的Si02、SiNx、SiON、BPSG、 PSG、PETEOS、BPTEOS等多种薄膜沉积工艺，设备支持清洗终点检测，传输平台、腔室类型及腔室数量可根据客户实际需求配备，具备成本低、性能优、均匀性优、颗粒度低的特点，可满足不同器件工艺对沉积速率、膜厚、应力、折射率及腐蚀速率等工艺指标的要求，工艺窗口大，兼具量产稳定性和研发灵活性的优势